浅谈电力电子技术革新与进展
本站原创 论文摘要:内容摘要:晶闸管的问世是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和制约以旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。先后经历了第一代电力电子器件;GTR.GTO,功率MOET等自关断全控型第二代电力电子器件;绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件。现代的电子元件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向进展。
关键词:电力电子器件;晶闸管;技术革新;智能化
:A
自本世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和制约以旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。
进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品,普通晶闸管不能自关断的半控型器件,被称为第一代电力电子器件。
随着电力电子技术论述探讨和制造工艺水平的不断提升,电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大进展,是电力电子技术的又一次飞跃,先后研制出GTR.GTO,功率MOET等自关断全控型第二代电力电子器件。而以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件,开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向进展。
而进入90年代电力电子器件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向进展,以此为基础形成一条以电力电子技术论述探讨,器件开发研制,运用渗透性,在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域会计毕业报告论文。
自1958年美国通用电气GE公司研制出第一个工业用普通晶闸管开始,其结构的改善和工艺的革新为新器件开发研制奠定了基础,在以后的十年间开发研制出双向、逆变、逆导、非对称晶闸管,至今晶闸管系列产品仍有较为广泛的市场。
70年代研制出GTR系列产品,其额定值已达1.8kV/0.8kA/2kHZ,0.6kV/0.003kA/100kHZ,它具有组成的电路灵活成熟,开关损耗小、开关时间短等特点,在中等容量、中等频率的电路中运用广泛,而作为高性能,大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管IGBT,因其具有电压型制约,输入阻抗大、驱动功率小,开关损耗低及工作频率高等特点,其有着广阔的进展前景。
而IGCT是最近进展起来的新型器件,它是在GTO基础上进展起来的器件,称为集成门极换流晶闸管,也有人称之为发射极关断晶闸管,它的瞬时开关频率可达20kHZ,关断时间为1μs,dildt 4kA/ms,du/dt10-20kV/ms,开关时间1000Hz。
日本新电元公司的IPM智能化功率模块的主要特点是:
(一)其功率芯片采取的是开关速度高,驱动电流小的IGBT,且自带电流传感器,可以高效地检测出过电流和短路电流,给功率芯片以安全的保护。
(二)在内部配线上将电源电路和驱动电路的配线长度制约到最短,以而很好地解决了浪涌电压及噪声影响误动作等不足。
(三)自带可靠的安全保护措施,当故障发生时能及时关断功率器件并发出故障信号,对芯片实施双重保护,以保证其运转的可靠性。
综合难度,如材料工业和制造工艺,而电力电子器件工作的可靠性是其极其重要的一个技术指标财务会计论文范本。为此电力电子技术的革新是与多种学科相互渗透并对各种工业领域有着极强的渗透性。
由此电力电子技术与国家的基础产业联系密切,并与国家进展的各项方针及产业政策相配台的要求在21世纪会显得越来越强烈。电力电子技术又称为能流技术,由此电力电子技术的进展与革新是21世纪可持续进展战略纲领的重要组成部分。
我国开发研制电力电子器件的综合技术能力与国外发达国家相比,仍有较大的差距,要进展和革新我国电力电子技术,并形成产业化规模,就必须走有中国特点的产学革新之路,即牢牢坚持和掌握产、学、研相结合的策略走共同进展之路。
以跟踪国外先进技术,逐步走上自主革新,以交叉学科的相互渗透中革新,以器件开发选择及电路结构变换上革新,这对电力技术革新是尤其实用的。也要以器件制造工艺技术引导革新,以新材料科学的运用上革新,以此推动电力电子器制造工艺的技术革新,提升器件的可靠性。由此形成基础积累型的革新之路。并要把技术革新与产品运用及市场推广有机结合,已加速科技革新的自我强化的循环,推动和带动技术革新有着稳定的基础,以使我国电力电子技术及器件制造工艺技术有以长足的进展,并形成一个全新的圾阳产业,转化为巨大的生产力,推动我国工业领域由粗板型经营走向集型,推动国民经济以高速、高度、可持续进展。
关键词:电力电子器件;晶闸管;技术革新;智能化
:A
自本世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和制约以旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。
进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品,普通晶闸管不能自关断的半控型器件,被称为第一代电力电子器件。
随着电力电子技术论述探讨和制造工艺水平的不断提升,电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大进展,是电力电子技术的又一次飞跃,先后研制出GTR.GTO,功率MOET等自关断全控型第二代电力电子器件。而以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第三代电力电子器件,开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向进展。
而进入90年代电力电子器件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向进展,以此为基础形成一条以电力电子技术论述探讨,器件开发研制,运用渗透性,在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域会计毕业报告论文。
一、电力电子器进展回顾
整流管是电力电子器件中结构最简单,运用最广泛的一种器件会计专毕业论文。目前已形成普通型,快恢复型和肖特基型三大系列产品,电力整流管对改善各种电力电子电路的性能,降低电路损耗和提升电流利用效率等方面都具有非常重要的作用。自1958年美国通用电气GE公司研制出第一个工业用普通晶闸管开始,其结构的改善和工艺的革新为新器件开发研制奠定了基础,在以后的十年间开发研制出双向、逆变、逆导、非对称晶闸管,至今晶闸管系列产品仍有较为广泛的市场。
70年代研制出GTR系列产品,其额定值已达1.8kV/0.8kA/2kHZ,0.6kV/0.003kA/100kHZ,它具有组成的电路灵活成熟,开关损耗小、开关时间短等特点,在中等容量、中等频率的电路中运用广泛,而作为高性能,大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管IGBT,因其具有电压型制约,输入阻抗大、驱动功率小,开关损耗低及工作频率高等特点,其有着广阔的进展前景。
而IGCT是最近进展起来的新型器件,它是在GTO基础上进展起来的器件,称为集成门极换流晶闸管,也有人称之为发射极关断晶闸管,它的瞬时开关频率可达20kHZ,关断时间为1μs,dildt 4kA/ms,du/dt10-20kV/ms,开关时间1000Hz。
二、电力电子器件进展走势
进入90年代电力电子器件的探讨和开发,已进入高频化,标准模块化,集成化和智能时代。高频化是今后电力电子技术革新的主导方向,而硬件结构的标准模块是器件进展的必定走势,目前先进的模块,已经包括开关元件和与其反向并联的续流二极管在内及驱动保护电路多个单元,并都以标准化和生产出系列产品,并且可以在一致性与可靠性上达到极高的水平。日本新电元公司的IPM智能化功率模块的主要特点是:
(一)其功率芯片采取的是开关速度高,驱动电流小的IGBT,且自带电流传感器,可以高效地检测出过电流和短路电流,给功率芯片以安全的保护。
(二)在内部配线上将电源电路和驱动电路的配线长度制约到最短,以而很好地解决了浪涌电压及噪声影响误动作等不足。
(三)自带可靠的安全保护措施,当故障发生时能及时关断功率器件并发出故障信号,对芯片实施双重保护,以保证其运转的可靠性。
三、电力电子技术革新
电力电子技术虽然它具有微电子技术的许多共同特点,如进展变化都非常迅速,渗透力和革新体现十分突出,生命力格外旺盛,处于阳光产业地位,并与其它学科相互融合和进展产生新的机遇,而电力电子技术还有其自身一些独具特点的地方,如高电压、大容量及制约功率范围大,由此技术的革新难度在于必须跨越高电压大功率这一关卡,及其技术的源于：会计学论文网http://www.328tiBEt.cn综合难度,如材料工业和制造工艺,而电力电子器件工作的可靠性是其极其重要的一个技术指标财务会计论文范本。为此电力电子技术的革新是与多种学科相互渗透并对各种工业领域有着极强的渗透性。
由此电力电子技术与国家的基础产业联系密切,并与国家进展的各项方针及产业政策相配台的要求在21世纪会显得越来越强烈。电力电子技术又称为能流技术,由此电力电子技术的进展与革新是21世纪可持续进展战略纲领的重要组成部分。
我国开发研制电力电子器件的综合技术能力与国外发达国家相比,仍有较大的差距,要进展和革新我国电力电子技术,并形成产业化规模,就必须走有中国特点的产学革新之路,即牢牢坚持和掌握产、学、研相结合的策略走共同进展之路。
以跟踪国外先进技术,逐步走上自主革新,以交叉学科的相互渗透中革新,以器件开发选择及电路结构变换上革新,这对电力技术革新是尤其实用的。也要以器件制造工艺技术引导革新,以新材料科学的运用上革新,以此推动电力电子器制造工艺的技术革新,提升器件的可靠性。由此形成基础积累型的革新之路。并要把技术革新与产品运用及市场推广有机结合,已加速科技革新的自我强化的循环,推动和带动技术革新有着稳定的基础,以使我国电力电子技术及器件制造工艺技术有以长足的进展,并形成一个全新的圾阳产业,转化为巨大的生产力,推动我国工业领域由粗板型经营走向集型,推动国民经济以高速、高度、可持续进展。